Musterung ablauf österreich

| 0

Wichtiger Hinweis: Der Bau von Teststrukturen oder die Herstellung eines Geräts um ein funktionelles (Nano-)Material kann zusätzliche Iterationen von Wachstums-/Abscheidungs- und Litho-/Musterschritten von Hilfsmaterialien (z. B. Definition von Metallelektroden) erfordern. Techniken ähnlich denen, die für Installationen 1 & 2 zusammen mit anderen berichtet werden, wie Sputtern/Verdampfen, können verwendet werden, um Nebenstrukturen durch Lithographie zu definieren, gefolgt von trockenen oder nassen Musterprozessen. Um eine Überschreitung des Katalogs und des Bewertungsprozesses zu vermeiden, werden nicht alle derartigen Prozesse aufgelistet. Bitte stellen Sie sicher, dass Ihre Bedürfnisse in Bezug auf solche Nebenelemente in der Beschreibung Ihres Vorschlags enthalten sind. TLNet wird herausfinden, ob eine Prozesssequenz, die Ihren Zwecken entspricht, innerhalb von NFFA eingerichtet werden kann. Lenci, S., Tedeschi, L., Pieri, F., und Domenici, C. (2011). PROTEINmusterung auf Silizium auf UV-Lithographiebasis: zur Integration von bioaktiven Oberflächen und CMOS-Elektronik. Appl.

Surfen. 257, 8413–8419. doi: 10.1016/j.apsusc.2011.04.096 Li, H. W., Muir, B. V. O., Fichet, G., and Huck, W. T. S. (2003). Nanokontaktdruck: ein Weg zur chemischen und biologischen Musterung im Sub-50-nm-Maßstab. Langmuir 19, 1963–1965.

doi: 10.1021/la0269098 UV-Bestrahlungsexperimente wurden mit einer Mitteldruck-Hg-Lampe (100 W, Newport, 66990) durchgeführt, die mit einem Filtertransmissiv für Wellenlängen im Bereich von 350–450 nm ausgestattet war. Die Lichtintensität (Leistungsdichte) an der Probenoberfläche wurde mit einem UV-Radiometer (UV Power Puck, EIT, Inc.) gemessen und im Spektralbereich von 250 bis 390 nm (UV-A, UV-B und UV-C) mit 7,6 mW cm 2 gemessen. Die photolithographische Musterung erfolgte mit einem Maskenaligner (500 W HgXe, SUSS, MJB4), der mit einem Filtertransmissiv für Wellenlängen im Bereich von 365 nm mit einer gemessenen Leistungsdichte von 9,0 mW cm 2 ausgestattet ist. Aufgrund der Tatsache, dass die photoerzeugte Cellulose in gängigen organischen Lösungsmitteln wie Chloroform oder Toluol unlöslich ist, ist eine direkte photolithographische Musterung von TMSC möglich, die geringe Mengen an PAG enthält und nach der Entwicklung negative Zellulosestrukturen nach der Entwicklung hervorbringt. Die Veränderungen der Löslichkeit von TMSC-Filmen, verursacht durch die photoinduzierte Desilylation-Reaktion, wurden mittels Sol-Gel-Analyse bewertet. Die unlösliche Fraktion (Gelfraktion) wurde durch FTIR-Spektroskopie bestimmt, indem die Intensität der C-O-C-Dehnungsschwingung der glykodischen Bindung bei 1.150–1.170 cm 1 ausgewertet und die Spitzenhöhe vor und nach der Entwicklung in Chloroform für 10 min verglichen wurde. Abbildung 2b stellt den Gelanteil von TMSC-Filmen dar, die 2 Gew.-NHNA- und 5 Gew.-NHNA-Werte in Abhängigkeit von der Bestrahlungsdosis enthalten und nach UV-Beleuchtung nach UV-Beleuchtung mit einer Bestrahlungsdosis von E 0,97 J cm 2 maximale Gelfraktionen von 73 bzw. 98 % aufweisen.

Eine längere Exposition beeinflusst nicht weiter die Gelfraktion, die dem in Abb. 2a gezeigten kinetischen Verhalten gut entspricht. Eine Abnahme der Löslichkeit nach einer zusätzlichen Exposition (Bestrahlungsdosen bis 70 J cm 2) konnte nicht beobachtet werden, was einen Photoabbau des Zelluloserückgrats ausschließt. Im Vergleich zu handelsüblichen Photoresists sind die erforderlichen Beleuchtungsdosen im Bereich von 1 J cm 2 für photolithographische Muster eher hoch. Dies ist auf eine unzureichende spektrale Überlappung des UV-Absorptionsspektrums von NHNA und der verwendeten polychromatischen Bestrahlungsquelle zurückzuführen (wie in den unterstützenden Informationen dargestellt). Es kann davon ausgegangen werden, dass eine bessere Übereinstimmung der spektralen Überlappung zu einer angemessenen Photoresist-Leistung führt.